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I408262 - (此處由本局於收

圓並於其上形成成爲SiC 半導體元件之活性區域的SiC ... ( Basal Plane Dislocation: BPD)的結晶缺陷。 ... 之具備[1]之磊晶SiC單晶基板之半導體裝置、以及揭示於.

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