你即將離開本站

並前往https://www.compoundsemiconductorchina.net/labfab-news.asp?id=794

抑制氮化物二极管的漏电流--研发报告频道 - 化合物半导体

人们普遍认为，泄漏的主要原因是结构上的缺陷，尤其是位错（dislocation），这可能会导致在AlGaN层应变。然而，日立研究人员的初步研究表明，载流子密度也会影响漏电流 ...

確定！ 回上一頁

查詢 「dislocation半導體」的人也找了：

  1. 螺旋差排
    2.
  2. 差排線
    3.
  3. 差排種類
    4.
  4. 正負刃差排
    5.
  5. edge dislocation中文
    6.
  6. 點缺陷 定義
    7.
  7. 晶體缺陷 應用
    8.
  8. 布格向量定義
    9.