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4H 碳化硅衬底及外延层缺陷术语

由于4H-SiC缺陷特别是4H-SiC外延缺陷与常见的其它半导体缺陷形状、 ... GB/T 14264半导体材料术语 ... 外延层基晶面位错basal plane dislocation.

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