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第三代半導體——碳化矽材料之製程與分析 - 電子工程專輯

根據新世代半導體特性分析(圖1)，SiC屬於高能隙(bandgap)材料，具有優異的 ... 的產生，而且還必須確保其晶圓維持低缺陷密度(dislocation density)， ...

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