拓緯的光耦合繼電器指使用光驅動MOSFET 的小型繼電器,通常封在SOP/DIP/SMD的小型封裝內,表面積最小至4.3mm*4.3mm,在碳化矽晶片的研發成功後,耐電壓提升至6600V。
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