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DDR4、NAND Flash記憶體晶片發展趨勢

... DDR3/DDR4記憶體，甚至導入20奈米與新型態的Wide I/O介面以降低訊號腳位數與整體功耗。 DDR4較以往不同的是改採VDDQ的終端電阻設計，目前計畫中的傳輸 ...

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