中文 摘要. 本實驗利用AP-MOCVD採用熱氧化的方式,在800℃~1000℃對銅箔. 進行氧化製備出p-Cu2O 。n-Cu2O 則利用化學浴沉積法(CBD),在CuSO4. 水溶液下煮沸 ...
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