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半导体材料超新星“氧化镓”，中外研究进展如何？ - 电子工程专辑

氧化镓是一种新型超宽禁带半导体材料，与碳化硅3.25eV、氮化镓3.4eV的带隙 ... heterogeneous integration of single-crystalline β-Ga2O3 thin film ...

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