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SiC功率晶體的設計發展及驅動電壓限制 - 電子工程專輯

根據高斯定律推算，功率晶體內與閘極氧化緣層相鄰的SiC所能使用的電場強度僅有4MV/cm，如圖3所示。若SiC材料的電場強度愈高，對閘極氧化絕緣層造成的 ...

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