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半導體製程設備技術 - 第 305 頁 - Google 圖書結果

6.2.4.4 終點偵測早期CMP的終點偵測先確定薄膜的去除率後再以計算所需之製程時間作為製程終點,並添加偵測器確知研磨廢液中成分作為輔助,當CMP研磨至犧牲層時,在廢液中 ...

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