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當年度經費： 2101 千元 - 政府研究資訊系統GRB

... 電漿化學氣相沉積(ICPCVD)成長穿隧介電層及S3N4 電荷捕捉層，以Charge-pumping 量測分析氧化層電荷及提出新穎抹除方法，藉由以上研究方法將改善快閃記憶體元件之操.

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