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TW201338044A - 半導體裝置之製造方法 - Google Patents

請參閱第17a/17b圖實施例，一前置非晶佈植(pre-amorphous implant,PAI)1702入射基板102以形成佈植(非晶)區1704。 之後，方法1500進行方塊1508，形成一緩衝層(buffer layer) ...

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