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半導體產業討論區(元件、製程、電路、EDA 與封裝測試)

因此，相較於FinFET，寬度較小的Nanosheet 能夠有著更小的元件面積，增加電晶體密度。 Intel 於IEDM 提出一種基於Strain-Relaxed Buffer (SRB) 的SiGe nanosheet pMOS ...

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