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銅/ 介電層混合接合- 國立陽明交通大學電子所3DIC LAB

本研究以二氧化矽為例，實現了最低120℃的超低溫混合接合製程開發。如圖一所示，在CMP製程之後，鑒於銅的材料性質，不可避免的產生一定的凹陷，而這恰好可以使用 ...

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