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半導體元件物理與製程─理論與實務 - 第 425 頁 - Google 圖書結果

了 MOSFET 和 BJT 的優點組合起來的,兼有 MOSFET 的閘極電壓控制電晶體(高輸入阻抗), ... 從而達到驅動功率小、飽和壓降低的完美要求,IGBT 綜合了以上兩種元件的優點, ...

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