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功率金氧半電晶體(Power MOSFET) 之簡介

兩個元件結構即是IGBT(Insulated Gate. Bipolar Transistor) 和Super Junction 元. 件。 IGBT 結合傳統VDMOS 的操作頻. 率和控制電路設計的優點及BJT 的高. 輸出電流。

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