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POWER MOSFET与IGBT的区别 - 北京时阳电子科技有限公司

IGBT（INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR）乃是MOSFET与BJT的复合组件。MOSFET与SCR之复合组件称 ... 不过，双极组件的ON速度和MOSFET并无太大差异。

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