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單邊非重疊離子佈植式金氧半場效電晶體內之寄生BJT崩潰與 ...

Characterization of Parasitic BJT Breakdown and MOS Punch Through in Single-sided Non-Overlapped ... 其中得知該元件於寫入前後擁有一超過9個數量級之電流差異。

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