你即將離開本站

並前往https://ir.nctu.edu.tw/bitstream/11536/81326/1/450801.pdf

介面修飾對有機薄膜電晶體元件特性之影響Effect of Surface ...

VT：臨界電壓(threshold voltage). µ：場效載子遷移率(field-effect mobility). 當VGS-VT=VDS時，電晶體會進入飽和區，我們將VGS-VT=VDS帶入公式(1.2)，. 可得到在飽和 ...

確定！ 回上一頁

查詢 「bjt飽和區電壓」的人也找了：

  1. bjt飽和區判斷
    2.
  2. bjt飽和區電流公式
    3.
  3. bjt飽和區vce
    4.
  4. 電晶體飽和區計算
    5.
  5. 電晶體飽和區條件
    6.
  6. bjt主動區條件
    7.
  7. 電晶體飽和電壓
    8.
  8. bjt飽和電流
    9.