1 如圖所示電路，RS=1.5kΩ，RB1=40kΩ，RB2=10kΩ，RC=4kΩ，RE=1kΩ，RL=4kΩ，BJT之切入電壓VBE(t) = 0.7V，β = 100，熱當 ... C CE是旁路電容，可以提高電晶體放大倍率.
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