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TWI408546B - 適應性電壓偏壓控制系統及積體電路

由於僅pFET基體偏壓(VBP)被更動，故無需增加其他的製造步驟(例如，三重N型井)去隔離NMOS基體。 第6圖為依照本發明於積體電路中操作適應性電壓偏壓(adaptive voltage bias， ...

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