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複晶矽鍺閘極之負偏壓溫度不

P 型金氧半電晶體中負偏壓溫度不穩定性NBTI (Negative Bias. Temperature Instabilities) 的影響。 ... 電容量測中獲得。所有C-V曲線的量測面積為100μm x 10μm。由公式.

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