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製程後端金屬互連層狀結構之形成方法與積體晶片 - Google ...

本發明提供一種製程後端金屬互連層狀結構(metal back-end-of-the-line interconnect layer)的形成方法。該方法包括沉積一或複數層自組裝單分子層於一半導體基板之上， ...

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