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矽鍺奈米線的製程和電性分析 - 9lib TW

本實驗中使用Auger 分析矽鍺薄膜的成分，可由鍺peak 相對高度去判斷，經由乾氧化的方式可將鍺濃度提高，直接證明利用氧化方式可將Ge condensation。

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