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利用原子層蝕刻技術克服EUV隨機變異 - 電子工程專輯

針對高解析度EUV圖案，線邊緣粗糙度(LER)和圓度偏差等因素所佔的EPE比例 ... 極紫外光(EUV)微影技術即將邁入生產，但ASML仍在繼續解決包括功率源和 ...

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