Cl2、CF4、CHF3、Ar、. O2、SF6,ICP RF最大. 功率900W,Bias RF最. 大功率300W,. ▫ 以He gas系統冷卻. ▫ 4" wafer為主. Page 55. 55. 嚴大任助理教授.
確定! 回上一頁