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第三章元件製程與量測方法

機制可透過提高半導體雜質掺雜濃度與高溫快速退火來達成。 3.2.1 表面處理 ... 在鍍歐姆接觸金屬之前，我們用低bias power 的氬離子(Ar)電漿對氮化鎵.

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