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清潔溶液及退火溫度對Hf/n-GaN 界面結構和電性之影響

電阻可達7.5 x 10-5Ωcm2，XPS（X-ray ... 界面能障高低與金屬功函數的關係與半導. 體鍵結的離子化程度有關22。Hf 功函數為. 3.9. 23，GaN 功函數為4.1，理論上Hf/n-GaN ...

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