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高能微波辐照条件下SiC晶粒的生长过程分析 - 无机材料学报

样品的XRD图谱如图2所示。对比标准衍射卡片(JCPDF 29-1129)可知, 图谱中2 θ位于35.6°的尖锐衍射峰可归结为β-SiC的(111)面, 即β-SiC的密排面, ...

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