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應用於相變化記憶元件之摻雜鍺-銻-鍗薄膜及其性質研究

圖4-15、不同Ce 摻雜濃度之GST 中之Ge3d、Sb3d、Te3d 及Ce3d 軌域之XPS 圖 ... 料判讀之困難度增加，圖2-17 為不同濃度的Bi 及Sn 的摻雜對電阻性質之影響。

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