其中,上游SiC 基板材料將成為產能關鍵制約點,其製程複雜、技術門檻高、晶體生長緩慢。現階段用於功率元件的N 型SiC 基板仍以6 吋為主,儘管Wolfspeed 等國際IDM 大廠8 吋 ...
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