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Vth 電壓

3，晶体管的沟道电场与过驱动电压Vgs-Vth和有效沟道长度直接相关，晶体管的过驱动电压Vgs-Vth越大，沟道长度越短（短沟道器件），晶体管越可能工作在速度饱和区。

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