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搜尋:如圖所示之電路，若MOSFET操作在飽和區

gm=2(IdK)^(1/2)與電流源I 有關雖然Vgs=Vb-Vs 但電流源I為已知故Vb增加Vs也增加Vs=Vg-(I/gm) ... d.I=1/2*u*cox*(w/l)*(Vgs-Vth)^2 , w/l上升i上升R下降W上升.

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