但在長波長VCSEL結構中,不容易採用氧化方法獲得電流和光場的限制孔徑,與InP材料匹配的InAIAS材料的氧化速率很慢;也有研究小組在鍵合的GaAS基DBR反射鏡中製作AIAs的氧化層, ...
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