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單元十四:MOSFET特性

空乏區：加入VGS，則正電壓會將Gate下之自由電洞推走，形成載子空乏區，此空乏區為不能移動之受體雜質(硼)電荷構成(帶負電荷)。 通道：正電壓亦會把電子從n型半導體 ...

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