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碳化硅MOSFET - STMicroelectronics

借助STPOWER SiC MOSFET，将创新宽带隙材料（WBG）的优势融入下一个设计。意法半导体的SiC MOSFET具有650 V至1700 V的扩展电压范围，是最先进的技术平台之一，具有出众 ...

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