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第三代半导体材料GaN和SiC：国产应用新布局 - 财经头条

GaN并不是真正意义上的MOSFET，而是HEMT(高电子迁移率晶体管)，其开关特性具有MOSFET相近的功能。GaN HEMT是平面导电结构，不依赖于衬底，可以在蓝宝石 ...

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