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安森美推新一代碳化矽MOSFET裝置英飛凌推新IGBT組合

安森美新一代碳化矽（SiC）MOSFET裝置結合先進薄晶圓技術，可在650 V擊穿電壓實現同類最佳的品質因數，設計人員用新的SiC裝置取代現有的矽開關技術， ...

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