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用于取代IGBT的碳化硅（SiC）MOSFET 技术发展回顾 - 极术社区

由于SiC MOSFET具有取代现有的硅超级结（SJ）晶体管和集成栅双极晶体管（IGBT）技术的潜力，因此受到了特别的关注。 多年之前碳化硅的半导体器件潜力已为人所知。

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