氮化鎵適用於中壓領域(100~650V)及高頻的產品,而碳化矽則可用於更高壓(>650V)高溫的領域。 由於碳化矽在高電壓工作環境下的表現優異,SiC MOSFET被視為可有效取代Si IGBT ...
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