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第四代SiC FET突破效能限制- 電子技術設計

在這些電壓電平下，第三代SiC FET可以取代IGBT和市場現有的最佳矽「超結」MOSFET。透過「堆疊」結構，還可達到更高的電壓額定值，而並聯該元件則可 ...

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