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碳化矽：損耗低、導熱佳， 支撐kV 等級的高壓應用

SiC 漂移層電阻比矽低、不. 須傳導調變，故可用高速元件構. 成MOSFET 來取代IGBT，可兼. 顧高耐壓與低電阻且不會產生尾電. 流，能有效降低開關損耗並 ...

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