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中国车规IGBT企业的布局：斯达半导、比亚迪 - OFweek锂电网

SiC 具有耐高压、耐高频的特性，仅用传统MOSFET结构，就能实现比硅基IGBT更佳的理化性能。在某些场景中，SiC已经具备完美取代IGBT的能力。

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