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SiC 取代IGBT
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MOSFET、IGBT等功率半导体市场情况
传统功率半导体器件基于硅基制造,而采用第三代半导体材料(如SiC、 GaN)具有宽禁带特性, ... 其次推出的碳化硅MOSFET, 有望取代太阳能逆变器中的高压硅绝缘栅双极 ...
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