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SiC 取代IGBT
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【芯視野】從IGBT到SiC 改朝換代中的車用功率半導體 - 今天頭條
SiC 是最被看好能取代矽基器件(主要是IGBT)的材料。業內專家列舉了SiC能取代IGBT的三個原因:一是SiC器件的工作結溫在200℃以上,工作頻率在100kHz ...
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