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寬能隙半導體： SiC 和GaN 技術的未來

在未來，WBG 產品可望進一步改善並且在最終取代矽基設備。然而，由於SiC 易於使用且從超級結MOSFET 和IGBT 過渡相對容易，預計特定應用的採用速度會更快一些。

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