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IGBT方兴未艾，SiC势在必行

低导通压降，125℃工作结温（600V器件为150℃），. 开关性能优化. 中低压领域基本已经被IGBT4取代，但在高压领域依然占主导地位，. 比如3300V，4500V，6500V ...

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