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SiC 取代IGBT
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拓緯推出3300V SiC 碳化矽光耦合MOSFET 繼電器
此產品可負載高達3300伏的電壓,耐電流達500mA,為常開型的碳化矽半導體式光耦合繼電器。AN53使用特殊形式封裝,除了讓腳位能更容易取代磁簧繼電器,也大幅提升了絕緣性與 ...
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