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功率元件明日之星－碳化矽元件技術之近況與展望｜崔秉鉞教授 ...

... 電晶體(IGBT) 取代單載子元件如蕭特基位障二極體(SBD) 和金氧半場效應電晶體(MOSFET)，這也使得功率與速度無法兼顧。基於以上因素，碳化矽(SiC)、 ...

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