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SiC 取代IGBT
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SiC與GaN競逐關鍵材料寶座, 電動車用元件進階加速寬能隙 ...
於是,以碳化矽(SiC)和氮化鎵(GaN)為中心的第三代「寬能隙」(Wide ... 拉動GaN陣營也急起直追,未來藉由氮化鎵和碳化矽取代矽基半導體,減少車用元件 ...
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「SiC 取代IGBT」
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